Gerhard Abstreiter

Prof. Dr. rer. nat.
ehemaliger Ordinarius für Experimentelle Halbleiterphysik, Direktor des Walter Schottky Instituts sowie des Institute for Advanced Study
TUM School of Natural Sciences

geb. 27.11.1946

abstreiter(at)wsi.tum.de

TUM Emeritus of Excellence Gerhard Abstreiter im Interview

"Ich wollte das Universum verstehen"

Gerhard Abstreiter war der erste in seiner Familien, der auf das Gymnasium und die Uni ging. Heute ist der TUM Alumnus ein weltweit angesehener Spitzenforscher in der Halbleiterphysik und war Zeit seines Lebens ein Pionier auf allen Ebenen. [lesen Sie mehr]

CV

Als Autor von über 600 wissenschaftlichen Publikationen ist Gerhard Abstreiter ein international bekannter Spitzenforscher im Bereich der Halbleiterphysik. Von ihm stammen bahnbrechende Beiträge zur Bestimmung der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen sowie zur Molekularstrahlepitaxie für die Realisierung höchstreiner Hetero- und Nanostrukturen. Seit der Gründung des Walter Schottky Instituts durch Gerhard Abstreiter (1988) gilt seine Arbeitsgruppe als weltweit führend in der Erforschung von Halbleiter-Nanostrukturen. Er hat das Gebiet der niederdimensionalen Elektronensysteme begründet und weltweit anerkannte Pionierarbeit auf vielen Gebieten geleistet. Dies gilt für die ersten Bestimmungen der Ladungsträgereigenschaften in Silizium MOSSystemen ebenso wie für seine bahnbrechende Entdeckung, dass sich in Silizium- Germanium durch Verspannung hochbewegliche Elektrongase erzeugen lassen. Gerhard Abstreiters Erkenntnisse werden heute in fast allen komplexen mikroelektronischen Schaltkreisen ausgenutzt und waren Basis seiner Erfindung eines Heterostruktur-Feldeffekt-Transistors, der z. B. als rauscharmer Vorverstärker in Satellitenantennen und mobilen Telefonen Anwendung findet. Das Gebiet der Halbleiter-Quantenpunkte hat er durch den ersten spektroskopischen Nachweis der diskreten Schalenstruktur der Elektronen und Exzitonen begründet und zur Blüte gebracht. Schwerpunkte neuerer Arbeiten liegen in möglichen Anwendungen von Spineigenschaften in Halbleitern, sowie der Realisierung von Hetero-Nanodrähten. Abstreiters Arbeitsgruppe gelang die Demonstration eines GaAs basierten Nanowire Lasers, der direkt auf Silizium aufgewachsen wurde. Seine vielfältigen Aktivitäten umfassen auch die Manipulation von DNA auf Goldoberflächen sowie die Entwicklung halbleiterbasierender Bauteile zur Anwendung in der Biosensorik und der molekularen Elektronik. Für seine Leistungen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik und der Nanowissenschaften wurde Gerhard Abstreiter vielfach ausgezeichnet und weltweit hohe Anerkennung zuteil.

 

Kurzbiographie

1968 – 1973 Studium der Physik, TU München
1973 – 1975  Promotion, TU München
1975 – 1979 Wissenschaftlicher Mitarbeiter, Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart und Grenoble
1979 – 1987  Arbeitsgruppenleiter und Habilitation (1984), Physik-Department, TU München
1987 – 2013 Ordinarius für Experimentelle Halbleiterphysik und Direktor am Walter Schottky Institut (1988), TU München
2010 Carl von Linde Senior Fellow, Institute for Advanced Study, TU München
2013 – 2015  Direktor des Institute for Advanced Study, TU München

 

Mitgliedschaften und Auszeichnungen

  • Gastprofessor, Universität Innsbruck, Österreich (1984)
  • Gastprofessor, University of California, Santa Barbara (1995), USA, Distinguished visiting Professor seit 2006
  • Gastprofessor, Columbia University, New York, USA (2000)
  • Gastprofessor, University of Tokyo, Japan (2000, 2004, 2009, 2010, 2011)
  • Fellow of the American Physical Society (seit 1992)
  • Japan Society for the Promotion of Science (JSPS) Senior Fellowship, Japan (2000)
  • Mitglied der Bayerischen Akademie der Wissenschaften (seit 2007)
  • Mitglied der Deutschen Akademie der Technikwissenschaften (acatech) (seit 2009)
  • Fellow der International Japan Society of Applied Physics (seit 2014)
  • Teilprojektleiter in verschiedenen DFG, BMBF, und EU Forschungsverbünden
  • Teilprojektleiter im SFB 128 "Elementare Anregungen an Oberflächen" (1980-1987)
  • Initiierung und Aufbau des Walter Schottky Insituts (1985-1988)
  • Teilprojektleiter und Sprecher des SFB 348 " Nanometer Halbleiter Bauelemente" (1991-2003)
  • Teilprojektleiter und Sprecher des SFB 563 "Bioorganische Funktionssysteme auf Festkörpern" (2000-2007)
  • Initiierung und Aufbau des Zentrums für Nanotechnologie und Nanomaterialien (2008-2010)
  • Sprecher der Internationalen Doktoranden Schule "Complex Interfaces" (2005-2011)
  • Carl von Linde Senior Fellow und Leiter der Focus Group "Nanophotonics" am TUM Institute for Advanced Study (2008-2013)
  • Teilprojektleiter im SFB 631 "Fesktörperbasierte Quanteninformation" (2003-2015)
  • Co-Sprecher und MItgleid des Exzellenzclusters "Nanosystems Initiative Munich" (ab 2006)

 

Preise und Ehrungen

  • Walter-Schottky-Preis der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (1986)
  • Gottfried-Wilhelm-Leibniz-Preis der Deutschen Forschungsgemeinschaft (1987)
  • Max-Born-Preis der Deutschen Physikalischen Gesellschaft und des britischen Institute of Physics (1998)
  • Friedrich Wilhelm Joseph von Schelling-Preis der Bayerischen Akademie der Wissenschaften (2006)
  • Heinz-Maier-Leibnitz-Medaille der TU München (2006)
  • Stern-Gerlach-Preis der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (2014)

Erläuterungen zu Preisen und Ehrungen finden Sie hier (pdf-Datei zum Herunterladen 251 KB).